近日，Hynix 宣布开始量产全球首款 321 层 NAND，这是一种基于三层单元（TLC）的 4D 存储器，容量高达 1Tb。这一突破标志着 Hynix 在堆叠技术上的重大进展。
321 层 NAND 的优势相比去年推出的 238 层 NAND，321 层 NAND 在写入时间上提升了 12%，读取时间提升了 13%。这种性能提升得益于 Hynix 采用了“3 插头”工艺技术，通过优化后的工艺流程连接三层插头。此外，Hynix 还开发了一种低应力材料，并引入了自动校正插头对齐的技术。
生产力提升Hynix 在 321 层产品中采用了与 238 层产品相同的开发平台，使得生产效率提高了 59%。这种改进不仅减少了工艺转换带来的影响，还显著提升了生产力。
对于消费者和企业用户来说，321 层 NAND 的推出意味着更快的存储速度和更高的存储容量。这将广泛应用于各种高性能计算和存储设备中，如数据中心、服务器和高端消费电子产品。
