在全球半导体市场，ASML和台积电是非常突出的企业， 一个是光刻机巨头，另一个是晶圆代工巨头。两家可以说是相互成就、共同成长，引领了半导体行业的发展。

然而，我们大陆国产光刻机领域传出来个重要突破，不仅是美方，连ASML、台积电都沉默了。恐怕他们都没料到，反转来得这么快，有评论中芯国际有望追平台积电！

这个评论来自新加坡毕盛资产管理创始人王国辉，他在接受美媒彭博社采访时表示，大陆一旦突破国产EUV，中芯国际将在全球与台积电竞争，市场还有望追平台积电。

而这个评论基于我们大陆近期国产光刻机领域的突破，那就是哈工大搞定了13.5nm极紫外光源。王国辉表示，中芯国际缺的就是EUV，一旦大陆突破，芯片战会结束。

因为大陆的市场优势会助力中芯国际发展，有了国产EUV，中芯国际竞争力会更强。

哈工大的这个突破，让外部看到国产EUV光刻机实现的可能性越来越大，时间也越来越近。因为13.5nm极紫外光源，正是突破EUV的三大核心技术之一，且最关键。

ASML使用的是美企Cymer公司的光源技术，为保持垄断和光源稳定，ASML还收购了这家美企。 不同的是，Cymer公司是传统的LPP技术，哈工大则是DPP技术。

相比之下，哈工大DPP“放电等离子体极紫外光刻光源”效率更高，精准度也更高！

虽然做出EUV需要同时解决三大核心技术，除了极紫外光源外，还有物镜系统和双工件台，但最关键光源问题的哈工大已解决，且能量转换效率高、成本低、体积小。

另外两项技术也不是ASML自己突破的，其中双工件台技术是通过收购和整合其他公司技术实现，光学物镜系统来自德国蔡司，他家是EUV光刻机的唯一镜头供应商。

值得一提的是，两项技术都有国内企业在攻坚，比较突出的是华卓精科、国科精密。

虽然其他技术方面跟ASML还有差距，但都不断进步或突破，就比如哈工大的光源技术突破，一举解决了EUV光刻机最核心的技术问题，说明国产EUV确实越来越近了。

我们中芯国际不能实现先进制程，面临的主要瓶颈问题就是EUV光刻机的国外限制。

目前来讲，要实现7nm以下先进制程，尤其是5nm以下高端芯片，确实离不开EUV光刻机。华为现在的麒麟芯片通过优化，性能接近5nm，但没EUV也很难再前进。

一旦我们国产EUV实现突破，那么影响最大的就是ASML和台积电了。然而，哈工大光源突破消息传出来后，两家都表现得非常沉默，心情恐怕不仅焦虑，还有些怀疑。

毕竟前段时间，ASML总裁才公开表示，限制EUV让大陆芯片水平落后10到15年。

并且ASML建立了很高的技术和专利护城河，根本不相信大陆能够短时间内突破。再加上台积电的配合，每一代技术都率先引进先进EUV，并且投入几百亿美元进行研发。

然而，光源技术占EUV核心技术的7成以上重要性，并且哈工大突破并不只是技术层面突破，2022年推出光源样机，2023年完成原型机研发，2024年通过关键测试。

ASML和台积电纷纷沉默的背后，恐怕是低估了我们大陆技术研发突破的速度和潜力。

如今，在美方及其盟友的全面围堵下，我们的成熟制程产能实现大幅度提升，中芯国际都可以外出打价格战了，一旦国产EUV光刻机突破，我们高端芯片问题也就解决了。

一直以来，美方都是不断收紧出口管制，从来没有任何放松芯片限制的迹象。照这个势头来讲，美方和荷兰不会放开EUV出口管制，ASML也可能对华出口EUV光刻机。

因此，我们要突破先进制程，没有其它路可走，唯有实现国产EUV。好消息是，据清华大学博士预测，国产EUV光刻机有望于2028年诞生，中芯国际还要等几年时间。

对此，有外媒就评价道，EUV反转来得太快了，难怪美方、ASML、台积电都沉默了。