美光超越西部数据!一季度NAND市场排名出现较大变化

袁遗说科技 2024-05-30 04:58:34

本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)综合

一季度 NAND Flash 行业收入增长 28.1%,预计第二季度将持续增长。

随着半导体行业逐步走出下行周期,存储作为半导体行业中周期性波动更为明显的细分领域,在今年出现较为明显的复苏迹象。TrendForce报告称,AI 服务器从 2 月份开始采用企业级 SSD,随后带来了大量订单。此外,PC 和智能手机客户一直在提高库存水平以应对不断上涨的价格。这一趋势推动了一季度 NAND Flash 价格和出货量上涨,并使季度收入增长 28.1%,达到 147.1 亿美元。

本季度市场排名出现较大变化,美光超越西部数据,位居第四。美光受惠于2023年第四季价格及出货量较竞争对手略低,2024年第一季营收环比增长51.2%,达17.2亿美元,为同业最高。

三星继续保持市场领先地位,营收环比增长 28.6% 至 54.0 亿美元,这得益于买家持续增加库存以及企业级 SSD 订单复苏。尽管第二季度消费产品订单前景谨慎,但 NAND Flash 合约价格上涨预计将帮助三星在第二季度营收增长超过 20%。

据报道,三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)”作为下一代NAND闪存材料,希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND,并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测,到2030年左右,其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲,分析铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)在1000层以上V-NAND技术发展中的关键作用。这项成就被认为将推动低电压和QLC 3D VNAND技术的进一步发展。

此前有消息称,三星计划明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,达到430层,进一步提高NAND的密度,并巩固和扩大其领先优势。

SK 集团(SK 海力士和 Solidigm)第一季度收入环比增长 31.9%,达到 32.7 亿美元,这得益于强劲的智能手机和服务器订单。Solidigm 独特的浮栅 QLC 架构有助于维持对高容量企业级 SSD 的强劲需求。SK 集团的出货量增长预计将在第二季度超过其他供应商,预计收入将增长约 20%。SK海力士5月9日宣布,开发出用于端侧(On-Device)AI的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。

铠侠 Q1产出仍受上季减产影响,出货量环比小幅增长7%,不过NAND Flash价格上涨带动营收环比增长26.3%至18.2亿美元。受惠于供货量增加与定价弹性,铠侠预期Q2营收将成长约20%,企业级SSD出货量将进一步扩大。铠侠2024年一季度营收同比增31%至3,221亿日元,为近七个季度以来的首度正增长;营业利润也由去年同期的亏损1,714亿日元转为盈利439亿日元(前一季度为亏损650亿日元),为近六个季度来首度扭亏为盈;合并净利润也由去年同期的亏损1,309亿日元转为盈利103亿日元(前一季度为净亏损649亿日元),为近六个季度来首度盈利。

从铠侠的整个2023财年来看(2023年4月-2024年3月),其合并营收同比下滑16%至10,766亿日元,合并营业亏损额达2,527亿日元(2022财年为营业亏损990亿日元),合并净亏损额达2,437亿日元(2022财年为净亏损1,381亿日元)、连续第二年陷入亏损,亏损额创铠侠前身“东芝內存”于2017年4月独立来历史新高纪录。

西部数据 Q1 出货量受 2 月起零售市场需求大幅下滑影响,但 NAND Flash 合约价上涨带动营收环比增长 2.4%,达 17.1 亿美元。尽管对 PC 及智能手机领域市场前景持谨慎态度,西部数据仍计划加大企业级 SSD 产品开发以推动未来增长,但由于企业级产品验证时间较长,短期出货量增长有限,预计 Q2 营收将持平。

PC与智能手机客户已对第二季NAND Flash库存水位有所提升,且终端需求成长仍未达预期,导致品牌厂采购趋于保守,而企业级SSD大宗订单激增,持续带动NAND Flash平均售价上涨15%,TrendForce预估第二季NAND Flash营收将季增近10%。

AI时代正在到来,大模型等将加速AI应用与AI普惠,存储尤其是高端存储需求快速爆发。山西证券根据多家存储大厂发布的生产指引测算,2024年资本开支整体预计高于2023年,且主要为支持HBM(高带宽存储器)、DDR5等高端存储产品。AI大模型运行计算需要传输大量模型数据,由于存储墙的限制,AI对高带宽内存芯片的需求迫切。

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