三星在 DRAM 领域的转型无疑取决于其下一代 HBM 的进展，现在有一线希望。据韩国媒体《朝鲜日报》报道，该公司已开始试生产 HBM4 中使用的逻辑芯片。更重要的是，该公司已利用其内部 4nm 节点启动了初始生产，该报道补充道。

三星HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片（Base Die），但是HBM4则会将DRAM Base Die 改成Logic Base Die（逻辑基础裸片），以推动性能和能效进一步提升。

具体来说，这个Logic Base die是连接AI加速器内部图形处理单元（GPU）和DRAM的必备组件，位于DRAM的底部，主要充当GPU和内存之间的一种控制器，并且这个Logic Base Die与之前的Base Die不同，它可以让客户自行设计，可以加入客户自己的IP，有利于HBM实现定制化，从而让数据处理更为高效。预计可以将功耗大幅降低至之前的30%。

报道称，Logic Base Die对于HBM4芯片来说相当于大脑，负责控制上方多层DRAM芯片。因为在HBM4上，內存堆叠I/O引脚数量倍增，需整合更多功能等一系列因素，使得全球三大內存原厂均采用逻辑半导体代工几技术制造来逻辑基础裸片。

执行工作时发热是HBM最大敌人，而在堆叠整体中逻辑基础裸片更是发热大户，需求采先进制程，这有助改善HBM4能效与性能表现。

三星试图在HBM4采取更积极路线，以挽回HBM3E流失的HBM市占率。三星HBM4除了采用自家4nm制造逻辑基础裸片外，还将导入10nm级1c制程生产DRAM，有望16层堆叠导入无凸块混合键合。

目前，HBM市场主要被三大DRAM原厂牢牢占据，特别是韩系厂商SK海力士和三星。由于在技术上具有更长远的积淀，SK海力士赢得市场龙头地位，且在产品迭代周期上更具优势。不过，如果三星在HBM4是实现弯道超车，便有望一举超越SK海力士，向市场龙头宝座发起冲击。

总体而言，凭借高带宽、低功耗、高容量与小尺寸方面的优势特性，为HBM带来广阔的应用场景，包括高性能计算、人工智能与机器学习、数据中心和移动设备与汽车电子等。

早在十余年前，AMD与SK海力士联手开业界之先河，共同推出HBM初代产品。自问世至今，HBM技术已发展至第六代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3的扩展版本）以及HBM4。

HBM4是HBM3标准的进化版，旨在进一步提升数据处理速率，同时保持其高带宽、低功耗和更大容量的核心优势。这些特点使得HBM4在高效处理大型数据集和复杂计算的应用中展现出巨大的潜力，特别是在生成人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器等领域。

据三星电子官方讯息，其HBM4开发工作正在按计划进行，目标是在2025年下半年开始量产。

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