半导体设备大厂泛林集团(Lam Research)宣布，推出针对 3D NAND Flash 存储器制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁Sesha Varadarajan表示、藉由Lam Cryo 3.0技术的推出，将为客户实现1,000层堆叠3D NAND Flash闪存生产做好准备。

过去，泛林集团的低温蚀刻已被用于超过500万片晶圆的生产，而最新技术是3D NAND Flash闪存生产领域的一项重大技术突破。Lam Cyro 3.0 能以埃米级精度创建高深宽比 （High Aspect Ratio） 的图形特征，同时降低对环境的影响，这使得蚀刻的速度是传统介电技术的两倍多。

泛林集团还强调，Lam Cryo 3.0是针对客户克服AI时代关键NAND Flash闪存制造障碍所需的蚀刻技术。因为在现有3D NAND Flash闪存的生产中，需要借由从组件顶部至底部的细长垂直孔道将各层的储存单元连接起来。而在孔道构建过程中，即使图形特征与目标轮廓出现仅原子级的轻微误差，也可能对储存产品的电气性能产生负面影响，并可能影响良率。

为解决以上的问题，泛林集团的 Lam Cryo 3.0 结合了高能密闭式等离子反应器、远低于 0°C 工作温度、以及新的化学蚀刻物质，可蚀刻出深宽比达 50：1、深度达 10μm 的通道，同时从顶部到底部的特征关键尺寸偏差不到 0.1%。这样的情况，在相较传统介电技术上，Lam Cryo 3.0技术的蚀刻速度是前者的2.5倍，能耗降低了40%，排放量更减少了90%。因此，能为接下来高层数堆叠，也就是目标1,000层堆栈的3D NAND Flash快闪存储器带来优秀的解决方案。