近日

在第十届国际第三代半导体论坛

第二十一届中国国际半导体照明论坛

（IFWS&SSLCHINA2024）

开幕式上

2024年度中国第三代半导体技术十大进展

重磅揭晓

其中西安电子科技大学

第三代半导体创新中心

“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中

高压电力电子器件技术实现重大突破”

入选2024年度

中国第三代半导体技术十大进展

西安电子科技大学第三代半导体创新中心

郝跃院士课题组

张进成教授、李祥东教授团队

成功攻克了

6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的

外延、设计、制造和可靠性等系列难题

基于低翘曲超薄外延

高质量双层钝化等创新方法

实现1200V和1700V高性能

GaN HEMT中试产品开发

通过HTRB、HTGB等可靠性评价

成果应用于致能科技等公司系列产品中

显著推动蓝宝石基GaN

成为中高压电力电子器件方案的有利竞争者

不仅代表了行业的技术前沿

也预示着产业发展的新方向

受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论

一起为西电人点赞！

通讯员 / 刘志宏

排版 / 何 淋

编辑 / 王冠玉

责编 / 王 格

出品 / 党委宣传部〔融媒体中心〕

来源：西安电子科技大学