12月19日，外媒报道称中国芯片制造商可能已实现DDR5芯片的量产。中国存储厂商金百达（KingBank）和光威（Gloway）发布了32GB容量的DDR5内存产品，并宣称其新款DDR5产品采用了中国制造的DDR5芯片。

随着国产存储芯片的产能再度扩张，中国存储芯片大举降价抛售，其中DDR4内存短短2个月就降价了四成，16GB的内存条已降价到100多元，显然中国存储芯片已打断了美日韩芯片的联手涨价图谋。

中国存储芯片曾在2022年赶上世界先进水平，随即推动存储芯片大降价，一年时间存储芯片价格腰斩，美光陷入巨亏，韩国的三星利润暴跌九成，可以看出中国存储芯片的突破给他们造成的打击有多大。

随后美国联手日本和荷兰阻止对中国存储芯片供应先进芯片设备，甚至就连已在生产线上的设备也不许进行维修，让中国存储芯片企业大为光火，愤怒喊出世界上从没有企业对自己已卖出的设备不提供售后服务的，由此导致中国存储芯片的研发陷入停滞。

不过存储芯片与逻辑芯片需要先进工艺不一样，内存如今最先进的工艺也在10纳米以上，19纳米工艺生产的DDR内存就是先进技术了，因为存储芯片需要确保耐用性和可靠性，无法大举缩减“线宽”，因此国产设备可以实现替代。

面对中国存储芯片的降价风暴，美日韩存储芯片企业起初还能保持淡定。毕竟在HBM存储芯片和DDR5内存芯片方面，他们仍然占有技术优势。然而，随着中国存储芯片在DDR5内存方面的突破，这一优势正在被逐渐削弱。

据外媒报道，中国的模组厂商已开始采用国产的DDR5颗粒生产内存，这标志着中国存储芯片已经开始给内存厂商供应DDR5颗粒。这一消息无疑是对美日韩存储芯片企业的又一重大打击。

中国存储芯片行业开始大举量产DDR5内存，对美日韩存储芯片企业来说意味着又一个重大的挑战。DDR内存和NAND flash芯片仍然是他们的大部分收入来源，而HBM芯片虽然增长迅速，但增速正在放缓。更为严重的是，韩国三星在HBM芯片市场的快速崛起，可能会引发与SK海力士之间的内讧，从而推动HBM芯片价格的进一步下滑。

在这场存储芯片的价格战中，中国存储芯片的降价风暴无疑起到了决定性的作用。从2023年下半年以来持续涨价的存储芯片价格，在国产芯片的冲击下再度全面下跌。这次涨价被普遍认为有美日韩存储芯片联手操纵的嫌疑，他们此前就曾有过类似做法。如今，随着中国存储芯片的崛起，这种操纵价格的行为已经难以为继。

中国芯片在存储芯片方面的进展，不仅证明了国产芯片在推进国产芯片设备发展方面取得了显著成果，更展现了中国芯片行业的巨大潜力和活力。近几年，国产芯片设备企业处于高速增长中，中国最大的芯片设备厂商已经成为全球第六大芯片设备商。收入的大幅增长使得这些企业能够加大研发投入，提升芯片设备技术水平，从而为中国芯片行业的长足发展奠定了坚实基础。

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