【英特尔完成首台商用高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）的组装】 据外媒报道：美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地的研发人员已完成业界首台商用高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）的组装。 英特尔表示，此套由ASML供应的 TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV 光刻机，将开始进行多项校准步骤，预计于 2027 年启用、率先用于 Intel 14A 制程，协助英特尔推展未来制程发展。 英特尔指出，High NA EUV光刻机在先进芯片开发和下一代处理器生产中扮演关键角色。英特尔晶圆代工领先业界部署的 High NA EUV 光刻机，将为芯片制造带来前所未有的精准度和可扩充性，协助英特尔开发创新功能完善的芯片，加速推动 AI 和其他新兴技术的发展。 而 ASML日前也宣布，位于荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次列印出 10 纳纳米的高密度线路，创下 EUV 光刻机解析度的世界纪录，成为 EUV 光刻机迄今为止列印出最精细的线路。这项突破也让 ASML 的合作伙伴蔡司在 High NA EUV 光刻机上的创新光学设计获得验证。 据介绍，相较于 0.33 数值孔径的 EUV 光刻机，0.55 数值孔径的高数值孔径 EUV 光刻机， 可为类似的芯尺寸提供更高的成像对比度，可减少每次曝光所需的进光量，并缩短每层列印时间，进而提高晶圆厂的产能。