国产光刻机实现重大技术突破，这直接让西方一些国家坐立不安了。 前几天工业和信息化部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024 年版）》通知，文件列表包含国产氟化氪光刻机（110nm），和氟化氩光刻机（65nm）的相关内容。 这65纳米的光刻机相对于之前90纳米最先进的国产光刻机已经提升了不少，不过很多人都觉得国产光刻机才达到65纳米，要知道ASML早就达到7纳以下了，两者的差距仍然很大。 在这大家要分清两个概念，一个是分辨率，我们所说的氟化氩光刻机65纳米指的是分辨率，并不是它的制造工艺，在实际制造过程当中，光刻机会通过多次曝光来达到提升芯片精度的目的，比如ASML之前的EUV光刻机它的分辨率也只有38纳米，但是经过多种曝光之后，它就可以用来生产7纳米的芯片。 对于国产光刻机来说，我们同样也可以利用多种曝光技术来提升芯片的制造精度，从官方的文件介绍来看，它的工艺小于8纳米，这意味着国产光刻机大概率能够用于生产7纳米的芯片。 虽然这个跟台积电2纳米工艺仍然有一定的差距，但两者的代差已经明显缩小；如果再配合芯片堆叠技术，那未来国产芯片的性能跟5纳米甚至3纳米其实已经没有多大的差距。 看到这我相信西方一些国家是坐立难安的，过去几年，他们想尽各种办法来限制中国光刻机技术的发展，没想到越限越进步，最后限了个寂寞，他们的限制只会让中国的技术越来越强大的。