很多网友都对芯片制程的所谓几纳米存在一定误解，实际上当前市面上的一切所谓“7nm”、“5nm”、“3nm”，其命名都不是反映实际的物理尺寸，而是根据“晶体管密度”来折算成的等效工艺。 比如台积电用EUV做的所谓3nm芯片，实际的金属半节距其实在23nm以上。 也正是得益于大众的误解，台积电三星英特尔等传统芯片大厂，近年来偷偷玩起了文字游戏，在大众看来本应属于同一级别的制程工艺，在不同厂商各自的定义里，却是天差地别。 那么今天，咱就扒开各家厂商的“裤子”来给大家好好看看—— 台积电16nm的晶体管密度是0.282亿/mm²，10nm是0.603亿，7nm是0.965亿，5nm是1.713亿，3nm是2.9亿，2nm是3.33亿。 英特尔10nm工艺的晶体管密度是0.5亿-1亿/mm²，7nm节点分为intel 3工艺（自封3nm级工艺）和intel 4工艺，晶体管密度区间在1.08亿-1.6亿，再后面的Intel 18A工艺（自封1.8nm级工艺）是1.95亿。 三星10nm工艺的晶体管密度是0.518亿/mm²，7nm是0.95亿-1.0亿，5nm是1.267亿，3nm是1.7亿。 根据以上数据，我们一眼就能看出，全球半导体制造业的传统三巨头中，台积电的代工实力一骑绝尘，其他两家相较于台积电，就像两个张口就来的喜剧演员，简直就是来搞笑的。 又由于中芯国际14nm工艺的晶体管密度是0.3亿/mm²，10nm工艺相关参数未公布，N+1代工艺的晶体管密度是0.89-1.0亿/mm²，N+2代工艺最高可达1.4亿。 所以如果对标某个韩国大厂的话，我们现在就可以厚着脸皮地说，中国半导体产业界的实力，已经遥遥领先于5nm一大截，略逊于3nm一丝丝—— 当然了，这只是开个玩笑，中国的芯片当然不会去对标某个水货，而只会向行业巅峰看齐，所以最近关于海思麒麟，才有了“等效7nm”、“等效6nm”这样的说法。