从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（分辨率为90nm），但是仍并未达到可以生产28nm芯片的程度，更达不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。
从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相
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从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（分辨率为90nm），但是仍并未达到可以生产28nm芯片的程度，更达不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。
说这有何用意，有总比没有强吧，国内一些人老觉得祖国取得成绩永远都有毛病，这些人活着还不如死去。
不懂别乱弹琴！做28nm，足够了！
这个能做7纳米知道不
傻子，最近国外很多媒体都在报中国可以产8纳米以下芯片了。初步突破美国卡脖子，只是还不知道良率如何。到你这就不能产了。国外那些媒体都是傻子吗。
不去对比看一下阿斯麦的DUV光刻机的光源，193nm，套刻也能生产7nm产品！只是多次曝光套刻的问题！别那么不自信！EUV的光刻机也不是一次性就能产7nm,3nm的，都是多次曝光的良品率，不然成本也不用那么贵！现在思跟都是套在极紫外线光刻机芯片上，所以突破需要时间，如果能开发出新工艺或采用量子芯片，那么90nm的工艺芯片也能顶起3nm的性能[墨镜]
光刻机高端芯片包括超算，我们现在都是只做不说。能公开的信息至少都是一两年前的数据。华为受到了全面制裁，依然能够生产出全球独有的3.6毫米超薄三折叠手机，里面的芯片有多高端？你们猜去吧。
人家说的8纳米波长的光刻机，被你说成65纳米，193纳米波长的光刻机！真是跪久了，还自以为是！
文盲水平。
“留得华为在，不怕没柴烧”，致敬那些被美国制裁还坚强发展的民族企业
上海EUV光刻机己研发出来了，在调试
关键是有了这台机器后，再加上浸润系统，就能得到更先进的光刻机，足够量产28纳米的芯片，在改进后就能量产14纳米和7纳米的芯片。即便是当前这台机器也可以量产45纳米的芯片。
这说明了中端芯片中国无忧虑了
生产28跟14nm轻轻松松，但要生产7nm需要多次曝光，良品率跟成本无法控制。
请你告诉我，去年华为麒麟芯片哪来的[开怀大笑]
不懂别乱讲。光是一样的光