美媒称中国已开发出 DUV 光刻机，但在技术上仍落后于 ASML 的先进半导体技术。ASML 于 2015 年公布的 TWINSCAN XT:1460K 光刻机，分辨率≤65nm，套刻≤5nm，而国产 DUV 光刻机性能大致相当于阿斯麦 10 年前的水平。

然而，此次中国实现了从无到有、从有到优的突破，摘下了这颗“工业明珠”，狠狠地打了那些曾叫嚣“就算给图纸，中国也造不出来光刻机”之人的脸。而且，美国至今仍未明白，如今的关键并非落后多少，而是只要有了开端，就会不断进步。即便当前美国限制出售光刻机给中国，未来当中国自主研发成功，美国的产品又能卖给谁？值得期待的是，国产 EUV 光刻机也在同步突破中，相信不久之后就会传来好消息。

这一事件充分展示了中国在科技领域坚韧不拔的精神和强大的创新能力。尽管目前在光刻机技术上与国际先进水平存在差距，但这种差距并不能阻挡中国前进的步伐。从无到有的突破是最为艰难的一步，而中国成功迈出了这一步，这是无数科研人员努力的成果，也彰显了中国在面对技术封锁时的决心和勇气。

光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术的突破对于我国半导体产业的发展具有至关重要的意义。虽然当前国产光刻机与 ASML 仍有差距，但这也为我们提供了追赶和超越的动力。在技术研发的道路上，持续的投入、人才的培养以及创新的机制都是不可或缺的。只要我们保持这种奋进的态势，不断攻克技术难题，未来实现全面超越并非遥不可及的梦想。

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