先进制程捷径走通！ SOI技术是在衬底和表面硅薄层之间嵌入一层绝缘层材料，研发出新的绝缘体上硅（SOI）材料，基于SOI的两大技术路线:RF-SOI技术用于5G射频芯片，FD-SOI开启28nm以下先进制程。 FinFET和FD-SOI是发展先进工艺(28nm以下)的两大解决方案，FinFET技术路线的先进工艺带来了工艺复杂工序繁多、良率下降等问题，使得28nm以下制程的每门成本不降反升。理论上，利用DUV光刻机制造的FD-SOI产品，可以达到与采用EUV光刻机制造的FinFET产品相当的性能。 2024年2月20日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。 2024年9月，九峰山实验室在8寸SOI晶圆内部完成了磷化铟激光器的工艺集成。该技术被业内称为“芯片出光”，它使用传输性能更好的光信号替代电信号进行传输，解决当前芯间电信号已接近物理极限的问题。 2024年，九峰山实验室、华中科技大学联合突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，性能优于大多数商用光刻胶。