金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法”的专利，公开号CN119040853A，申请日期为2023年5月。

专利摘要显示，本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面和侧壁上均形成第一分子层；利用第一等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第一分子层；输送第三气体至工艺腔室内，以使第三气体吸附于顶面、底面和侧壁，以在顶面、底面和侧壁上均形成第二分子层，且剩余的第一分子层和第二分子层反应，以在侧壁上生成目标膜层；利用第二等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第二分子层。

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