麒麟9020进步出乎预料，chiplet芯片堆叠先进封装威力初显 Mate70麒麟芯片首拆

1. 已经有些朋友拿到了mate70 pro+真机。有的媒体拆机测量了芯片尺寸，评测了性能。我是吓了一跳，核心芯片麒麟9020，居然性能比Mate60 pro的麒麟9000S进步挺多的。估计等外媒TechInsights搞来机器切开芯片测量，会公布微观的新发现。

2. 为什么我直觉进步不会太大？因为制造用的是DUV光刻机，process明显比EUV光刻机麻烦得多，严重受限。做出7nm的麒麟9000S已经不容易，麒麟9020性能想大幅进步很难。内心预期是芯片小进步，但是系统整体大进步，AI、散热、纯血鸿蒙等等。发布会也没聊芯片，神秘。

3. 但是，麒麟9020还真不一般。外观与9000S相比，明显面积变大，特别是变厚了。面积是14.5mm*16.25mm，比9000S的14.6*14.26明显大，增加14%。厚度0.58mm比0.42mm明显厚了。个人猜测，芯片制造的FINFET工艺平台有进步，单位面积晶体管数量增加了一些，元器件device的设计变了，晶体管更加“立体”。

4. FINFET工艺原理是，硅基地面上长出密集的硅针一样的毛发，叫fin。然后用金属圈套住每根fin，叫gate。这个fin的形状更为纤细了，对于gate控制电压更为敏感，功耗降低，等效7nm进步为等效5nm。这都是我猜的，但在预料之中。

4. 出乎预料的是变厚了很多，应该是用了chiplet微芯片的“芯片堆叠”、先进封装技术。这就厉害了，等于二维芯片变三维，向另外一个维度增加晶体管数量。具体细节不知道，但是以后发展空间打开了。要加强这方面的学习，属于先进封装技术。和芯片制程不是一回事，但是能大幅提升芯片性能。

5. 总体效果，就是很多功能都集成在麒麟9020里实现了。通信基带、卫星通信、CPU、NPU神经网络计算、GPU、存储、ISP成像算法，分在几个chiplet微芯片里，再用先进封装平面、立体地连接在一起。如果立体连接就是三维或者二维半，说是“芯片堆叠”。连接的线很细很密，一般封装干不了，要先进封装，难度比加工晶圆要低点，但也不低，台积电擅长干。可能在哪做了个先进封装的产线，在能力范围内。

6. 集成效果就是，芯片居然还挺先进，同时跑6个大型游戏不卡。功耗还低，在一项对比测试中，麒麟9020的整机功耗0.69瓦，骁龙8gen3的整机功耗为0.94瓦。连续14小时刷抖音，不发热，续航够。

7. 我猜（除了机主测试的数据，技术信息全都是猜的），应该是麒麟系列找到了持续发展的办法，主要靠先进封装、芯片堆叠，三维发展。芯片制程还是难，5nm就很极限了，据说不怕麻烦可以用DUV光刻机冲击3nm。但是靠chiplet技术，芯片架构进步，整体性能可以跟上，表现像4nm芯片。现在就是产能受限制，先进芯片性能不会被卡死。