现在世界上的一切所谓14/7/5/3nm,实际上都是按晶体管密度折算的等效工艺,

数码比格棒 2024-12-09 01:04:59

现在世界上的一切所谓14/7/5/3nm,实际上都是按晶体管密度折算的等效工艺,真实的物理尺寸太小了,就会出现漏电更各种问题,性能不增反降,台积电的3nm工艺,实际的物理尺寸是22.5nm……

1 阅读:7790
评论列表
  • 2024-12-11 22:39

    性能还得软硬件结合,有人觉得CPU的好坏决定手机性能的上限,但系统和软件不行的话也很难发挥出硬件的性能

    风叶 回复:
    这话说的没毛病!同样的芯片小米能做的发热!
    执夜梦尘 回复:
    软件结合硬件的条件来调整,调整算法,减少浮点运算量。在运行小数据量APP时,时时调控Hz数,减少发热,切换高数据量APP又要及时响应。优化不过关的话,那些高跑分的性能也只能存在于想象中
  • 2024-12-10 21:17

    又偷华为技术。华为三十年前就二纳米了。如果不是技术封锁。早就统一全世界了

    打狗不看主人 回复:
    哇,绿蛙黑子喷华为好厉害哟!
    沿途风光 回复:
    你看你又学小米高管发炎,菌菌到底给了你几毛钱红包
  • 2024-12-11 14:15

    对国人就只能用数字来表达,而且还得是简简单单的数字、数值,夹杂太多中英文的话这里的消费者只会直接放弃。

  • 2024-12-14 18:48

    这就是英特尔跟AMD竞争时用的招数,一开始全世界都不知道,以为技术发展真这么快了,虐了AMD好多年,后来被曝光,成了行业规则了

    执夜梦尘 回复:
    行业标准就是他们定的,自然可以变着花样来
  • 2024-12-14 00:17

    他要实打实的说其实好多年技术都没咋进步了。你看着手里用了6-7年的老手机一琢磨还能用几年。到时候市场萎靡。没啥人买。

  • FY 2
    2024-12-09 07:35

    不懂就不要邯郸学步人云亦云

    FY 回复:
    纠正你一下:是源漏沟道主要决定漏电率
    DD长空 回复: FY
    你纠正我啊[汗],只有源极、漏极和NP沟道的说法,这三样是晶体管的基本结构,而栅极的宽度才是我们所说的多少纳米的结构,栅极才是控制经过源漏极电流的,理论上栅极越小,电子经过时损耗和发热越小,但是小到一定程度,就无法控制漏电率
  • 2024-12-14 00:59

    85就1微了24还2?[狗头]

    无所谓了 回复:
    老大!纳米比微米小好不
  • 2024-12-13 22:27

    你说的不对,其实是14纳米

  • 2024-12-14 20:12

    10年来尺寸没有进步了,却还在大吹特吹?

    姬丹 回复:
    同样的工艺,公差上的差距,是你想象不到的!
  • 2024-12-13 17:06

    凡事都有极限的,

  • 2024-12-14 22:58

    纳米就是每个公司自己定的

  • 2024-12-14 16:34

    你比我的大学老师还专业哎,佩服佩服

  • 2024-12-13 11:59

    就造假营销。