台积电2nm芯片良率已达60%，全球科技巨头地位再巩固！ 台积电2nm芯片良率突破60%，远超竞争对手，在全球半导体制造领域再次树立新标杆。对比三星4nm制程70%的良率和3nm制程仅50%的水平，台积电在更先进工艺上取得的突破具有划时代意义。 背后支撑这一技术突破的是台积电59.56亿美元的年度研发投入，公司采用全新GAA晶体管结构取代传统FinFET技术，在性能提升和功耗降低方面实现双重突破。通过与全球顶尖研究机构合作，台积电成功解决了量产过程中的技术难题。 智能手机领域，2nm芯片将带来更强算力和更长续航；数据中心将实现更高计算效率和更低能耗；AI领域的模型训练和推理速度也将获得显著提升。IDC预测，全球半导体市场规模将从2023年的616.9亿美元增长至2028年的729.7亿美元。 计划2025年量产2nm工艺，2027年推出1.4nm制程，2030年实现1nm技术突破。单芯片晶体管数量将超过2000亿个，为下一代数字技术革命奠定基础。 面对美国芯片法案和欧盟芯片法案带来的全球竞争压力，台积电通过技术创新和产能优势，持续巩固行业领导地位。与ASML等关键设备供应商的深度合作，确保了其在先进制程领域的持续领先。这场没有硝烟的技术竞争，台积电正在以实力重塑行业新秩序。