【科学家开发新存储器架构，可在 500 度以上的超高温运作】

传统的 DDR 存储器在特定温度范围内运作，通常不超过摄氏 100 度（约华氏 212 度），但超过该范围可能导致资料丢失及温控调频（Thermal Throttling）。不过，密歇根大学研究人员开发一种新的存储器架构，其特性几乎与 DDR 存储器相反，操作温度范围至少为摄氏 260 度（华氏 500 度），并能在超过摄氏约 594 度（华氏 1,100 度）的高温下运行。

这种非传统存储器设计利用电池特性，在极端高温下储存数据。其中，资料是透过在存储器内部的两层（半导体氧化钽和金属钽）之间移动带负电的氧原子来储存。这些氧原子透过一种固态电解质在两层钽材料之间转移，而固态电解质如同一道屏障，防止氧原子在两层之间随意跳动。

氧原子据称是透过三个铂电极（platinum electrodes）进行引导，控制每个氧原子从一层移到另一层，代表数据的改变。这些移动行为与电池类似，而三个电极控制氧原子是被吸入氧化钽还是被推出，则类似电池充电或放电过程。

氧化钽的氧含量据称可以作为绝缘体或导体，分别用于表示数字 0 或 1，使该材料能在两种不同的电压状态之间切换。

这种解决方案与传统方式完全不同，现今的存储器技术主要依靠电子移动，但电子对温度非常敏感。当温度过高时，由于电流物理极限的影响，电子会变得无法控制。相反地，密西根大学提出这种特殊存储器技术则依赖氧原子，这不会受相同的温度限制。

研究人员指出，这种以氧原子为基础的解决方案，最低温度也必须相当高，所以运行前需要加热器将存储器加热到工作温度，与内燃机类似。虽然目前尚未宣称有最高温度限制，但研究人员透露，这种存储器可以在超过华氏 1,100 度（约摄氏 594 度）的条件下储存信息状态超过一天。此外，因为设计关系，这种解决方案比其他替代存储器的设计更节能。