荷兰光刻机巨头ASML的CEO克里斯托弗·富凯表示目前中国芯片工艺跟西方至少差10年到15年之间，其中的原因是中国没有EUV光刻机，仅靠传统的光刻机，哪怕是DUV光刻机也无法做出跟台式电，英特尔和三星相媲美的芯片工艺。 这位CEO的这番话有点傲慢，甚至盛气凌人，但也不完全错，至于目前中国芯片跟西方先进工艺到底有多大的差距，我们不是专业从业人员，我们无法给出答案，但从芯片工艺技术的进化史来看，每进阶一个工艺难度确实都很大，目前国内的芯片工艺最多可以做到14纳米，而国际上最先进的芯片已经达到2纳米，其中台积电2纳米工艺将于2025年量产。 从数学的角度来看，14纳米跟2纳米只差了12纳米，好像差距并不是很大，但这里面要连续攻克10nm，7nm，5nm，3nm等各种关口，每一个关口都如同越过一座大山一样艰难，在这个过程当中没有EUV光刻机等一些尖端设备的帮助，短期内确实很难突破，就让我们通过工艺上的改进或者推叠技术来达到接近7纳米的水平，但其不良率也很高，成本也很高，根本不划算。 当然有差距未必见得完全是一件坏事，有时候困难反而更容易让中国破釜沉舟，就如同过去几十年，西方限制很多技术和设备对中国出口，中国无法从外部获取，所以只能自主研发，最后很多限制技术和设备都被中国一一攻克了。 对芯片来说我觉得也是一样道理，以前因为我们能够轻而易举从外部获得这些零部件，企业无需花大量的资金去研发，这也导致国内的相关零部件以及产业链发展相对滞后。但如今随着外部的限制，我们无法从外部获得这些产品或者技术，那只能闷头从零开始慢慢研发，慢慢积累，慢慢建立自己的产业链，一旦未来包括光源、物镜、材料等各方面都有所突破了，终究有一天我们也可以突破EUV光刻机技术的，到时候说不定我们还可以利用自己的产业链优势，以更低的价格反向出口到欧美国家去，虽然这一天有点遥远，但我相信迟早会到来的。
用户18xxx28
中国和美国的战斗机差多少年？