最近机器又传消息了，可信的是28nm浸润式在调试。EUV的还早

1. 图中视频似乎是负责工作台的公司高管做报告。说65nm的干式好了，正在调试28nm浸润式的，远期要做到7nm。市场传华卓精科在搞双工件台。

2. 这个信息就比较专业，三种都是193nm的DUV光源，为什么分别能做65、28、7nm芯片。主要是套刻精度、同步误差、内部震动三个指标大幅进步了。套刻精度22-10-2nm，要进步一个数量级。“套刻”这个事，是指一个芯片加工时换光罩了，和前面的那张光罩，放的位置要严丝合缝，误差不能超过这个数。

3. 同步误差是指硅片台（wafer stage）和掩模台（reticle stage）在同步对准时产生的误差。三种机器要求3-2-1nm，这个是最基本的对准，估计就是负责工作台公司的主要任务。

4. 内部震动，是说工作台要磁悬浮稳定，避免外界干扰。震一下位移可能非常大，绝对不允许。要从10的-10次方，进步到-11、-12次方，提升10倍、100倍。

（g²/Hz）是随机振动功率谱密度（Power Spectral Density, PSD）的单位，代表每次震动的能量。可能也没有100倍那么夸张，振幅减小成十分之一，能量就百分之一了。所以也是数量级提升。

5. 传EUV出消息，哈工大搞出了13.5nm光源。有些人问是不是机器要好了，这个是看少了。长春光机所2017年就有EUV光源的成果，画出了32nm间距线条。但是离机器还差的远。几个大障碍，一个是能量，问题很大，能量大小搞不动芯片。一个是引导光线准确打到晶圆上，要精密仪器做极为光滑的多片透镜反射镜，很难。