IT之家1月5日消息，外媒SamMobile发文，透露联发科已逐步将重心移向开发下一代天玑9500芯片，相关芯片将于今年末至明年初亮相。
最初联发科计划相关芯片采用台积电2nm工艺制造，但考虑到相关工艺价格高昂，且苹果同样将在M5系列芯片中引入相关工艺占用产能，因此联发科出于成本和产能考虑，选择N3P工艺制造天玑9500。
据介绍，台积电的2nm工艺引入了一种新的晶体管结构——环绕栅极（IT之家注：Gate-All-Around,GAA）。GAA晶体管通过垂直排列的水平纳米片，在四个侧面包围通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能覆盖三面。GAA晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流，从而提升了性能。
而如今天玑9500将采用N3P工艺，虽然N3P的能效可能不如台积电新一代2nm制程节点，但仍然比天玑9400使用的N3E有所改进，具体来说，天玑9500据称将包括两个ArmCortex-X930超大核和六个ArmCortex-A730大核，频率将超过4GHz，并支持可扩展矩阵扩展（SME）。
