HBM:美光加入HBM3E竞争，SK海力士将交付HBM4样品

驱动1:2025年1月16日盘后消息，DRAM内存巨头之一的美光也将加入16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。

驱动2:盘中消息，SK海力士计划最早于2025年6月向英伟达交付HBM4样品，预计将于第三季度末开始全面供应产品。

国内进展：国内供应商现处于HBM2的研发和产业化阶段，2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管控，国内HBM有望加速扩产。

资本开支：据机构调研，2025年E中国大陆传统封装的资本开支预估为-30%~-40%的负增长，先进封装领域(包含HBM)的资本开支则是50%以上的高速增长。

HBM(高带宽存储器):是一种高性能的3D堆叠DRAM内存技术，它通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并使用先进封装技术(如TSV硅通孔、微凸块)与GPU或其他处理器集成，以实现大容量、高带宽的存储解决方案，从而满足Al芯片的需求。目前只有海力士、美光和三星有能力生产兼容高性能Al计算系统的HBM芯片。

OTSV硅通孔：在HBM制备中，HBM的多层DRAM颗粒需要堆叠在一颗逻辑晶圆上，DRAM颗粒之间、DRAM和逻辑晶圆间均通过硅通孔(TSV)和凸点垂直互连，包括深孔刻蚀、气相沉积、铜填充、CMP、晶圆减薄等。HBM的供给能力在很大程度上受限于TSV的产能。(晶方科技、同兴达、赛微电子、大港股份、沃格光电等)

CoWoS(2.5D、3D先进封装):甬矽电子、兴森科技、文一科技、新益昌等。

设备端：北方华创(刻蚀/沉积/炉管等设备)、中微公司(刻蚀设备)、拓荆科技(混合键合/键合套准精度量测/PECVD等设备)、微导纳米(薄膜沉积设备)、华海清科(CMP/减薄机)、芯源微(临时键合机/解键合机/清洗机)、盛美上海(电镀/清洗/边缘刻蚀设备)、精测电子(检测设备)、中科飞测(检测设备)、赛腾股份(检测设备)、精智达(检测设备)、快克智能(键合设备)、芯碁微装(直写光刻机/晶圆对准机/晶圆键合设备)等。

材料端：

环氧树脂：用于封装填充。(华海诚科、宏昌电子、圣泉集团等)

Low-a球形氧化铝：很好的解决了在存储领域高密度叠层封装所遇到的散热问题。(天马新材、联瑞新材、壹石通等)