韩国惊呼，中国存储芯片技术震惊韩国业界 来自韩国《中央日报》的消息，中国存储芯片的技术进步速度之快，韩国业界深感警惕。 目前最先进的存储芯片技术是3D NAND，就是向空间要空间，这么说有点奇怪，那换句话说，NAND芯片跟公寓楼的共同点是什么？答案是都有很多层。 也就是将芯片从平面转为立体，其单位面积内存储的空间自然就会成倍增加。 韩国三星电子在2013年首次推出堆叠了24层的NAND，从此点燃了“堆叠”层数竞争。目前三星电子量产的最高层NAND为286层。 但是最近中国长江存储出货第五代3D NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。按照行业人士的说法，目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平，该公司现已成为全球NAND市场的有力竞争者。 因为美国的制裁，长江存储很难购买到最先进的生产设备，于是尝试采用了韩国公司没有使用的技术，即两个半导体的混合胶接方式，绕过了美国的限制。 特别让韩国紧张的是，长江存储从128层跃升至294层NAND的时间为3年零5个月，比三星电子量产128级至286级所需的时间4年零7个月还要短。 中国厂商的飞速进步，使得韩国半导体行业出现了骚动：“中国在芯片领域的追击已兵临城下”。
