Intel的18A工艺好像还是有点叼，高密度SRAM和台积电N3相当，但是整体的SRAM密度可以做到和N2类似（超能网把Intel的38.1写错为31.8了，我核对了下原始PPT）
关键是 18A的高性能SRAM库真心有点叼，对比高密度的版本只是略微大了些 0.023 vs 0.021那种，然后1.05V电压过5.6G的频率..... 对比之下台积电的N2 只有HD SRAM，1.05V电压只能过4.2G。
这几代Intel的工艺都有一个趋势，如果你看高密度设计都不太像Intel宣传的节点，但是一到了高性能部分就完全一条龙。
