半导体材料国产化进程 我国12英寸45-28纳米工艺用材料品种覆盖率超过70%；先进存储工艺用材料品种覆盖率超过75%。 2024年8英寸硅片国产化率达55%，12英寸硅片国产化率10%。国内12英寸硅片月产能突破百万片，上海新昇半导体完成28nm逻辑芯片用硅片的量产验证，中环股份12英寸抛光片良率达国际一线水平。 光刻胶高端国产化率约10%，g/i线光刻胶国产化率为30%，krf光刻胶国产化率为10%，arf光刻胶国产化率为2%。关键光刻胶材料实现90%本土化供应。全球44家光刻胶原料供应商，中国有13家，主要覆盖较低的PCB光刻胶专用化学品领域。 溅射靶材在晶圆制造靶材领域市占率达到38%。江丰电子、有研新材差异化布局半导体级靶材产品，阿石创、隆华科技靶材产品则是由面板级应用转向光伏级应用。 截止2024年底，半导体用电子气体整体国产化率约为46%。其中，8英寸及以下晶圆用电子气体已基本实现自主供应。新型显示用电子气体国产化率大幅提高到约56%。其中，TFT-LCD用三氟化氮、硅烷、氯气、氦气等主流电子气体，OLED显示用氧化亚氮（笑气）、四氟化碳等主流电子气体已实现国产大批量供应。
