【事关芯片：我国成功开发12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术】3月28日，据微信公众号“西湖仪器”消息，近日由该校孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。
与传统的硅材料相比，碳化硅具有更宽的禁带能隙、更高的熔点、更高的电子迁移率以及更高的热导率，能够在高温、高电压条件下稳定工作，已成为新能源和半导体产业升级的关键材料，推动电动汽车、光伏发电、智能电网、无线通信等领域的技术革命。
但衬底材料成本占据整体成本的比例依然居高不下，严重阻碍了碳化硅器件大规模的产业化推广。降本增效的重要途径之一是制造更大尺寸的碳化硅衬底材料。与6英寸和8英寸衬底相比，12英寸衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本。
2024年12月，国内碳化硅头部企业已披露了最新一代12英寸碳化硅衬底，在引领国际发展趋势的同时，也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化硅衬底切片需求。与之相应，西湖仪器以最快速度推出了“超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术”，率先解决了12英寸及更大尺寸的碳化硅衬底“切片”难题。
据西湖大学工学院讲席教授仇旻介绍：“该技术实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化。”，与传统切割技术相比，激光剥离过程无材料损耗，原料损耗大幅下降。新技术可大幅缩短衬底出片时间，适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产，进一步促进行业降本增效。
