将工作电压从48V提升至800V,功率密度提升16倍 - 采用碳化硅MOSFET使能量损耗降低70% - 控制算法迭代频率达2000Hz,较传统系统提升两个量级 • 技术风险集中于高频电磁干扰防护与系统冗余设计,需验证10万公里耐久性测试数据
将工作电压从48V提升至800V,功率密度提升16倍 -采用碳化硅MOSFE
老司机聊汽车
2025-03-28 20:51:25
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