据彭博社消息，行业知名分析机构TechInsights最新发布的研究指出，面对美国严格的出口管制及实体清单的沉重打击，中国存储芯片领军企业长江存储展现出了惊人的适应力与创新能力。
企业已成功实现关键生产设备的国产化替代，依托本土技术资源，研发出高性能的3D NAND闪存芯片，这标志着中国在高端存储芯片领域取得了突破性进展。
长江存储的这一成就不仅打破了国外技术封锁的束缚，更凭借自主研发的Xtacking架构在行业内崭露头角。
该架构能够实现232层3D NAND堆叠，技术实力与国际领先制造商如镁光、三星、SK海力士等不相上下，彰显了强大的技术竞争力和广阔的市场前景。
回顾过往，2022年10月，美国对中国实施了先进半导体设备的出口限制，并随后将中国3D NAND Flash制造商长江存储纳入实体清单。
对于此次制裁，美国并未给出明确理由，态度强硬。中国也迅速采取了相应措施，对镁光进行了反制。
