碳化硅（SiC）在提升性能的同时还能提高电池续航里程，缩短充电时间，因此在新能源汽车上已经开始获得规模化应用。与此同时，碳化硅在光储充、轨道交通、高压电网等应用领域持续渗透，各类应用场景共同推动碳化硅产业规模逐年扩大。
全球碳化硅衬底产能爆发式增长在被视为碳化硅爆发元年的2022年，大规模扩产成为行业重头戏，新立项/签约碳化硅相关项目超过20个。
2023年，碳化硅赛道扩产热度依旧居高不下，甚至有愈演愈烈的迹象，不仅有更多厂商加入碳化硅扩产行列，更有巨头多次出手。据集邦化合物半导体不完全统计，2023年国内共有近40项碳化硅相关扩产项目启动，国外企业也有近20项碳化硅相关扩产项目已经或将要落地。这些项目背后，不乏Wolfspeed、天科合达、天岳先进、南砂晶圆等碳化硅衬底头部厂商的身影。
时间来到2024年，部分碳化硅衬底大厂在产能扩张方面的比拼愈发激烈，又有更多大项目进入了落地实施阶段或取得了最新进展。
2024年，天科合达、三安光电、同光股份、东尼电子、烁科晶体、罗姆等厂商旗下年产能数十万片碳化硅衬底的大项目纷纷披露了最近动态，其中部分项目已经进入了验收、投产阶段，随着这些项目开始产能爬坡，又将对当前的碳化硅衬底市场供应造成不小的冲击。
中国SiC衬底开打“价格战”自今年上半年开始，业内屡屡传出“中国本土碳化硅衬底降价”的消息，甚至还有业内人士爆料称，未来两年内中国SiC芯片价格至多将下降30%——由于许多中国SiC生产商获得了车规认证并提升了产能，预计中国SiC芯片将于2025年底开始大规模渗透电动汽车市场。
对此，多家中国本土的SiC企业做了表态——
东尼电子表示，当SiC衬底产能提升后，大幅降价是有可能的;三安光电董秘办表示，从短期来看，不排除一些二、三线SiC厂商通过“价格战”的方式，以价换量来获取更高的市场份额;环球晶圆董事长徐秀兰表示，全球6英寸SiC衬底的产能释放，再加上电动汽车的需求暂缓，2024年SiC衬底价格有下滑的压力;天岳先进在其投资者记录表中指出，技术的提升和规模化效应推动了SiC衬底成本的下降。SiC器件的技术难点主要在于衬底缺陷的控制，比如SiC晶圆要求在SiC材料上长晶，而SiC材料耐高温、硬度高，制备和加工难度高、损耗大，需要各环节之间的密切配合，所以SiC供应商以IDM企业为主。诚然，中国的SiC产业化还处于较早期的阶段，整个产业的市场规模也相对较小，但它们在衬底/外延/器件等环节均有发力。
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