SK 海力士在 2025 年的营业利润有望迎来大幅增长,极有可能在这一关键指标上超越三星电子。据分析师推测,高利润半导体芯片销量的逐步上升,会为全球首屈一指的芯片制造商带来强劲的发展动力。
明年SK海力士有望超越三星电子由于高利润芯片销量的增加,SK海力士明年的营业利润可能会超过三星电子。即使明年三星电子的移动部门利润增加,值得关注的是否能够跟上SK海力士的营业利润。
SK海力士明年营业利润预测为20万亿韩元至45.4万亿韩元。三星电子利润大约为27.9万亿韩元至49万亿韩元。目前尚无报告预测SK海力士明年的营业利润将高于三星电子,但在传统芯片价格恢复缓慢的情况下,如果HBM芯片价格上涨幅度超过预期,SK海力士的营业利润就会上涨。
HBM芯片的高利润率是SK海力士高营业利润率的基础。SK海力士今年营业利润率预计为35%,明年有望升至46.8%。机构预计SK海力士明年销售额将同比增长45%至97万亿韩元,营业利润将达到45.4万亿韩元。
分析师表示,SK海力士的HBM4将保持与竞争对手的技术差距,由于AI的扩展,产品溢价预计将在明年脱颖而出,成为市场需求的主要受益者。
SK海力士股价在10月底接近20万韩元水平,11月22日跌至17.67万韩元。不过NAND闪存市场形势是影响SK海力士未来盈利的一个因素。预计SK海力士明年的营业利润为45.4万亿韩元。
NAND闪存基于AI需求的大容量eSSD获得了稳定的市场需求增长,可是很难完全抵御行业低迷的影响。虽然HBM价格稳定,但DDR4和NAND闪存价格预计从明年第一季度开始将大幅下跌,很难摆脱市场的影响,因此预计SK海力士的业绩也将下降。
明年第一季度NAND闪存平均售价将环比下降8%。因此SK海力士今年营业利润率达到两位数的NAND部门有可能在明年第二季度恢复亏损。由于中国厂商的价格竞争加剧,预计从第四季度开始,通用存储器的销售价格将低于最初预期。
三星传借兵系统LSI事业部 强化HBM4竞争力随着AI风潮扩散,HBM市场竞争日益激烈,预计从2025年开始量产的第六代HBM4,逻辑等系统半导体技术,将成为产品的成败关键。因为不仅DRAM,逻辑等系统半导体也将嵌入HBM中。
韩媒ET News引述业界消息,指三星最近将部分系统LSI事业部人员,调至记忆体事业部,旨在强化基础裸晶(base die)设计能力,提升HBM4竞争力。
此外,随之而来的还有制程变更。截至第五代HBM3E,基础裸晶仍是采用与DRAM相同的10纳米级制程。但在HBM4中,为了提升内部空间使用、功耗与效能,考虑采用5纳米以下逻辑制程。推测这也是三星调动具10纳米以下经验的系统LSI人员原因。
消息人士进一步指出,由于HBM需要逻辑技术,三星将系统LSI事业部人员调至记忆体事业部,显示三星对HBM4的开发寄予厚望。
AI半导体通常由HBM和GPU组成,而HBM最底层的就是基础裸晶。2024年4月,SK海力士和台积电达成HBM4战略合作也是源于此。
SK海力士在5纳米制程方面经验不足,台积电则是已经成功量产NVIDIA、高通等先进制程晶片,因此SK海力士计划将HBM4的基础裸晶交由台积电代工。
南韩业界认为,三星系统LSI事业部有5纳米、3纳米等先进制程设计经验,这些将有助于与记忆体事业部形成协同综效、提升整体技术竞争力。不过,台积电和SK海力士的率先结盟,三星想追赶并不轻松。
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