美国芯片行业遭受重创,1.8纳米芯片良率惨淡,十颗有九颗不合格

百家哓科技 2024-12-12 23:05:36

最近,美国卯足了劲儿,想要在芯片制造领域重新坐上全球老大的交椅。为了这个目标,他们是又给钱又给资源,全力支持自家的芯片大厂Intel。可没想到,最近外媒爆了个猛料,说Intel在搞1.8纳米工艺的时候遇到了大麻烦,良率低得吓人,十颗芯片里头有九颗是坏的。

说白了可能是因为Intel太心急,一下子用了好多新技术。Intel是全球头一个吃螃蟹的,用了2纳米EUV光刻机来造芯片,到了1.8纳米,他们又用上了全新的Nanosheet技术。这么多新技术一起上,结果就搞得良率超低,芯片质量堪忧。

说起来,美国在扶持Intel这事儿上,那是下了血本的。光刻机的大佬ASML今年量产的10台2纳米EUV光刻机,有6台都给了Intel,这偏心程度,可见一斑。

但对Intel来说是好事,对台积电来说未必就是坏事。想当年搞7纳米的时候,台积电觉得技术太难,就没急着用第一代EUV光刻机,而是用老的DUV光刻机先搞出了7纳米,结果三星因为急着用EUV,7纳米量产反而落后了。

这2纳米EUV光刻机更难搞,Intel先上,说不定就得先栽跟头。台积电让Intel先去试试水,自己慢慢研究,等时机成熟了再用,说不定又能后来居上。

再说这新技术,台积电和三星之前也较量过。3纳米工艺上,台积电还是保守,继续用FinFET技术,三星呢,想一雪前耻,率先用了全新的GAA技术,结果台积电的良率55%,三星的只有20%左右。

这就是先进工艺的难处,新技术、新设备一起上,容易出问题,哪个都搞不好,最后就成了半吊子。三星之前用EUV光刻机和GAA技术,就吃了这个亏。

反观Intel,从2014年量产14纳米之后,技术进步就一直慢半拍,现在甚至还不如三星。这次他们这么激进,同时用2纳米EUV光刻机和Nanosheet技术,良率低也就不足为奇了。

现在的Intel,那叫一个风雨飘摇,这几年老亏钱,今年更是连着三个季度亏损,连CEO基辛格都被董事会逼着退休了。人心不稳,技术难度又高,1.8纳米出问题也就不奇怪了。

Intel这一垮,不仅仅是他们自己的损失,更是整个美国芯片行业的打击。美国想掌控芯片行业的野心,这下算是受挫了。他们全力扶持Intel,结果却是这样,以后美国芯片行业可能更得依赖台积电了。

台积电可不会放过这个机会,听说他们已经提出要涨价一成。美国芯片企业也是没办法,只能接受。台积电现在是越来越厉害了,净利润率都超过四成了,比美国好多大牌科技公司都高得多。这芯片行业的赢家,怕是要换人了。对此,你们怎么看?

6 阅读:3940
评论列表
  • 2024-12-13 10:16

    不要幸灾乐祸了,顶尖技术,初期各种失败在所难免,通篇不着眼于他们的技术革新,充斥着对失败的幸灾乐祸,这种人,是中国前行的阻碍

  • 2024-12-13 09:46

    英特尔最后死在芯片上,电脑芯片逐渐失去中国市场,三纳米发热严重,两纳米搞出来也是死

  • 2024-12-13 08:31

    意淫、扯淡家!

  • 2024-12-13 08:00

    英特尔也学坏了,以前14纳米可是实标,现在也跟台职电和三星一样了

  • 2024-12-13 08:56

    还重创,我们的2纳米有影吗

  • 2024-12-13 10:42

    至少人家已经做到1.8了,我们还是7。正视差距,不丢脸[得瑟]

  • 2024-12-13 14:58

    这是流片吧?文章形容过度夸张了,流片试产成功失败很正常,技术没吃透慢慢研究就是了,上来就跟死了人一样,真死了再发出来就是真问题,这个只能说目前试产良品率太低,需要改良