存储芯片分为DRAM内存、NAND Flash闪存等，这些广泛应用于各种电子产品之中，比如大家的电脑、手机，运行内存就是DRAM内存，存储空间（SSD硬盘）就是NAND闪存。

目前的硅基闪存芯片领域，制程工艺的极限在15nm，只要低于15nm工艺就会十分不稳定，所以就连三星和SK海力士都没有追求更先进的制程工艺，而是通过多层堆叠来实现性能的提升。

存储芯片：国产突破与复旦大学的颠覆性进展。

在芯片这一高科技领域中，存储芯片无疑占据着举足轻重的地位。其市场规模庞大，约占全球所有芯片市场的三分之一，成为了电子产品中不可或缺的关键组件。

DRAM内存和NAND Flash闪存作为存储芯片的两大代表，广泛应用于我们的电脑、手机等日常电子产品中，扮演着运行内存和存储空间的重要角色。

全球市场上，国产DRAM和NAND的合计份额尚不足5%，这意味着我们不得不大量依赖进口。

而韩国的三星、SK海力士以及美国的美光这三大厂商，则牢牢占据了全球存储芯片市场约90%的份额，形成了强大的市场垄断。

复旦大学的研究团队，结合超快存储叠层电场设计理论，成功将闪存芯片推进至8nm水平。这一成果不仅打破了硅基闪存物理尺寸15nm的极限，更为国产存储芯片的发展开辟了一条全新的道路。

复旦大学在8nm闪存芯片领域取得了关键性进展。该芯片不仅具备超快编程能力（20纳秒），还拥有10年不挥发性和10万次循环寿命，展现了中国在闪存领域的强大技术实力。

可以预见的是，一旦这种闪存技术大规模量产，将彻底颠覆现有的闪存芯片格局。不过目前这种技术还没有量产，接下来的目标是如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。

2025年，闪存除了堆叠层数继续增长之外，接口速度也将获得新的发展。