星电子晶圆代工事业已到生死存亡关头，一切取决于2纳米以下制程能否顺利量产。

三星华城厂S3晶圆代工线持续引进各种设备，预定2025年第一季底安装好一条月产7,000片晶圆的2纳米产线。三星也计划平泽2厂S5安装一条1.4纳米产线，月产能约2,000~3,000片。S3剩余3纳米产线将在明年底前全部转成2纳米。

尽管三星电子在最先进工艺开发方面一直走在前列，但在良率方面遇到了困难。据报道，台积电最近在2纳米工艺上实现了60%的良率，并预计将在明年年初开始量产。三星电子计划在2纳米工艺上尽快确保适当的良率，并缩小与台积电在代工市场占有率方面的差距。

韩社长的信息是在台积电明年将开始2纳米量产并首次向苹果公司供应产品的消息传出之际发布的。韩社长将“快速扩大2纳米工艺的生产量”作为核心任务之一。目前最先进的工艺是3纳米，而2纳米是下一代代工工艺。韩社长承认，与台积电相比，三星电子在技术上存在差距，但他表示有信心最终将克服这一差距。

业界认为，三星电子的反击武器是“环绕栅极”(GAA)技术。GAA是一种通过最小化电流泄漏来提高电力效率和性能的技术，是制造高性能半导体的核心。三星电子在2022年成为世界上首家将GAA应用于3纳米工艺的公司。台积电也计划从2纳米工艺开始引入GAA。

半导体行业专家表示，尽管技术难度高，导致3纳米工艺产量难以控制，但三星电子比竞争对手更早引入GAA并积累了足够的经验，这是一个优势。韩社长表示，尽管三星电子率先实现了GAA工艺的转型，但在商业化方面仍存在许多不足，需要切断机会窗口关闭并在下一代再次竞争的恶性循环。

三星在建的位于德克萨斯州泰勒市的两个领先的逻辑晶圆厂，将专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产。三星此前曾表示，它将在美国击败台积电实现 4nm 产能，并计划在今年年底前开始批量生产4nm芯片。

然而，随着人工智能硬件竞争日趋激烈，对于尖端制程工艺的需求大涨，同时三星的竞争对手台积电此前也宣布扩大在美国的投资计划，投资规模扩大到600亿美元，并在原来4nm及3nm晶圆的基础上再建一座2nm晶圆厂。对此，台积电也获得了美国商务部的66亿美元的补贴。

现在来看，三星似乎希望将德克萨斯州泰勒市的4nm制程也升级至2nm制程，借此与台积电在尖端制程上进行竞争，而台积电的尖端制程客户——高通、英伟达、AMD、英特尔等大厂也都是美国客户。

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