文/YW

坏消息来了，我国芯片产业又被西方“卡脖子”了！在近日的2024年度“达沃斯世界经济论坛”上，英特尔CEO帕特·格尔辛格称，在老美等国家的联合限制之下，中国与全球顶尖晶圆厂的技术差距为10年！其实我国曾在去年一举把差距缩小至5年左右，那么，英特尔CEO帕特所说的10年差距到底在哪？我们的芯片产业又该如何发展呢？

一、麒麟9000S达到7nm工艺，技术差距一度缩小至5年

去年上半年，中国大陆区域明面上的半导体制造工艺技术为14nm，而台积电在当时已实现3nm技术，两者中间相差了10nm、7nm、5nm、3nm四代，所以大家当时普遍认为我们落后国际顶尖技术8-10年。

而到了下半年，华为麒麟9000S的出现，一举把技术差距缩小至5年！从晶体管密度来看，华为麒麟9000S达到了7nm的水准，而台积电是在2018年实现7nm工艺的，前后时间差距正好5年。

从极客湾手机/平板芯片测试数据来看，华为麒麟9000S性能表现与高通5nm芯片骁龙888接近，甚至还要略胜一筹。麒麟9000S明明工艺落后一代，却有越级性能表现，其中离不开我国和华为对半导体芯片产业的重视和投入。华为此前曾受多方制裁，麒麟9000S的到来，不仅使华为此前不活跃的手机市场重新复兴，也在当时让我国芯片产业终于看到希望。

二、芯片制裁加剧，技术差距再次拉远

但是好景不长，就在麒麟9000S芯片发布后，垄断半导体行业的各国开始加剧对我国制裁。老美又升级了芯片禁令，对AI芯片、半导体设备等的禁运要求更严格了；而J国限制半导体设备出国到我国，40nm以下的半导体设备都需要许可证；而H国的ASML（光刻机巨头），则吊销我国先进DUV浸润式光刻机许可证。

在各国的技术壁垒下，我国的芯片产业处处受阻。英特尔CEO帕特认为，在半导体设备受各国限制情况下，中国半导体制造业难以追赶全球顶尖水平，中国现有的工具，只能生产14nm，最多到7nm，突破不了这个底线，而台积电、三星、intel的技术，已经从3nm迈向2nm，甚至看向1nm去了。

三、“中国芯”将何去何从？

英特尔CEO帕特的预判没错，在缺少生产设备和技术的情况下，面对重重技术壁垒，我们的确在短时间内不能突破7nm这一堵围墙。这次各国虽然几乎把路都封死了，但无路可走我们更要自强，也正如鲁迅先生所言：“其实地上本没有路，走的人多了，也便成了路”。相信随着国家和各位科研人员的努力，我们的半导体制造产业终有一天会看到胜利的曙光！