10月9日，中国电子材料行业协会官网发函，《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准已通过专家立项评审，予以公示，并公开征集标准制修订工作参与单位。欢迎有相关意见或意向的组织和个人积极参与标准制定。

碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点，被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一。近年来，物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破，进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用。

各类SiC晶体原材料

SiC 粉体是PVT法生长SiC单晶的原料，其纯度会直接影响SiC单晶的杂质含量，从而影响SiC单晶的电学性质，其中生长高质量的半绝缘 SiC单晶更是直接受限于SiC粉体中N元素的含量。碳化硅长晶过程中用到的原料碳化硅粉体的各项指标，直接影响碳化硅晶体的质量。各厂家长晶工艺不同，除了对碳化硅粉体纯度有要求之外，粒径和晶型对晶体生长的影响很大，需要高纯SiC粉体形状、粒度、粒径分布等参数的有效控制。由于各家工艺路线的差异，不同企业对物理化学指标的要求存在不确定性，上述等等原因造成的原料质量不稳定，非常不利于下游晶体行业的快速发展。

团体标准立项评审会

对此，2024年9月27日中国电子材料行业协会粉体技术分会在平顶山市河南中宜创芯发展有限公司组织召开了《晶体用高纯碳化硅粉体》团体标准立项评审会。计划通过团体标准的规范，给晶体用碳化硅粉体企业指明方向，解决下游晶体厂家所需高纯碳化硅粉体产晶质量的稳定性问题，更好地配合行业客户的需求，促进产业的健康发展，进而提升高纯碳化硅粉体行业整体技术及质量标准水平。

关于中宜创芯

河南中宜创芯发展有限公司成立于2023年5月24日，是由中国平煤神马控股集团和平顶山发展投资集团合资设立的公司，计划投资20亿元，分期建设年产2000吨碳化硅半导体粉体项目。项目一期500吨生线于2023年6月20日开工建设，并于9月30日产品成功下线，创同类行业建设和投产的最快速度。2024年3月30日，一期生产线达产产品纯度最高达到99.999998%，已在国内三十多家企业和科研机构开展试用和验证。

如果对立项标准有任何疑问或者不同的看法，欢迎在公示期间内，用书面形式进行反馈。同时，如有兴趣参与到标准的制定和修订过程中，也请直接向协会的标准化工作部提出申请。期待相关单位和专家的宝贵意见和积极参与。

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来源：粉体圈

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