说到先进半导体制程工艺，坏行业规矩的首先是三星，当年愣是人为把22nm营销成16nm（没记错的话），后来“老实”的英特尔都看不下去了，也开始了跟进，这才有了Intel 7nm吊打三星10nm的“逆物理”规律事件的发生（三星注水太狠）
实际上，芯片的制程工艺节点代表的是栅级线宽，但遗憾的是，台积电、英特尔、三星……所有代工大厂，如今营销的“X”nm都远超真实的栅级线宽（不懂的自己去重温PN结科普），7nm、5nm的真实栅级线宽都超过了10几nm甚至更高
栅级线宽极限早已逼近，再小就会容易发生量子隧穿效应，一些代工厂开始在其余技术指标上下功夫，于是🈶了“等效”一说[挖鼻]
没错，你被营销了！
单位面积内晶体管数量应该是比较准确吧。对比三星台积电英特尔就知道，三星台积电都有很水。
三星猎户座处理器就是个渣渣
到一纳米编不下去就好了😁
现在的10nm以下的制程都是所谓的等效制程，不是真实制程。简单来说，就是厂家找到一种办法，在同样尺寸晶圆上用10nm的真实制程，刻出了7nm制程应该容纳的晶体管数量，就可以宣称他们是7nm工艺。但是其实栅极宽度还是10nm。
芯片的极限就2纳米，目前的技术突破1纳米不太可能了，估计以后都只能提高性能，在2-5纳米之间徘徊了。
老罗的大中小号杯真TM经典。
现在纳米已经搞不下去了，看看现在的处理器动不动就几个核
按老标准的话，现在最先进制程是23纳米
就像卖柜子的说他的是实木的，纯实木的，全实木的的区别可是很多人一看，就以为真是实木的哦！分不清楚里面的条条道道
美国军用芯片特别烂！驱逐舰天线还是老式蜘蛛网式。所造芯片，不能用现在几纳米芯片。作战强电磁干扰下，芯片会被击穿烧毁。也不知道孟晚舟卖给伊朗芯片，用在军事上有啥用！？别看苹果手机芯片先进，用在军事上，会被强电磁波干扰直接击穿烧毁。美国带着一帮子同盟，搞出这些个芯片，走的路，可能是弯路偏路。ARM制程设计也是有问题。将来靠这些玩AI，来个电磁脉冲武器干扰，全瘫痪。
所以中国追上他们的脚步完全可能，而不是天方夜谭
上次有个小鞭说美国芯片技术0.768nm
🤣现在都说的是几纳米工艺
跟“级”有一拼 Cpu I7级 哈哈[捂脸哭]
把他们说的不堪也代表不了我们比他们强。
三桑继5nm，4nm后，3nm再翻车🐶
忽悠我们赶上了
麒麟9000是不是也一样的算法？
也难怪intel用的是万年不变的10nm+++。。。一年多一个+，美国人还算是老实的。。。
这个是技术文吧
记错了，三星营销成14nm ，后来营销成10nm
总有懂的，骗只是一时爽
就像俄罗斯 三代机硬说成是五代机
原来这样啊
那年三星叫14nm
大白话，都是5nm，…节点多一些而已。…举例：①同一座大楼，电梯多一些而已。人群流动快一些。…1幢楼8部电梯，…与80部电梯，…800部电梯。…计算速度一样，传递速度快一些
用刃宽1毫米的刀雕不出间距0.5毫米的缝隙，就算1毫米的缝隙也不行，这是常识