结合那个国产“65nm”光刻机，畅想下国产光刻机未来的改进方向。

我猜想国产光刻机的下一步肯定是要去做浸润式的DUV并提升套刻精度，这个是目前路子最方便且成本最低的提升方法。通过将干法曝光改成湿法，光刻机的分辨率直接可以提升到38nm，SADP可以做到20nm，SAQP可以做到11nm附近的极限分辨率。

这样用SADP可以做到台积电N7附近的密度，不计成本上SAQP或者SADP再叠加一些奇淫巧技的话可以做到类似麒麟9010 N+2/3附近的密度。 因此只要做好了浸润式DUV，可以将工艺节点从28nm推3-4个节点到7nm-8nm附近。

不过这里可能得多说一下，台积电的N7 是只否用DUV+SADP实现的40nm MMP存疑。 40nm这个数值对应DUV+SADP已经处于危险边缘了，并且Fin Pitch 只有30nm， 所以N7必然在Fin上用了高于SADP的方法，在非Fin上可能也有类似方法或者实际缩水了。

而最后，EUV真的就是一道新的砍，甚至可以说是光刻机的最后一道砍。 目前工艺物理尺寸已经很难再微缩了，EUV这个光源至少目前20-30年内是够用了。

#新星闪光计划#