硅碳负极深度：CVD技术利刃破局，2025年放量起航 CVD路线硅碳负极技术突

硅碳负极深度：CVD技术利刃破局，2025年放量起航 CVD路线硅碳负极技术突破、预计25年全球销量0.15万吨，30年全球需求达8万吨。此前硅基负极以球磨法硅碳与硅氧负极为主，球磨法难以解决膨胀，硅氧负极首效较低。CVD法硅碳负极膨胀率低，循环优异，性能潜力大，24年起开始在高端手机上大规模应用，动力领域4680电池及海外三元电池有望采用CVD方案。我们预计25年CVD硅碳负极需求达0.15万吨，2030年预计总需求可达8万吨左右。 CVD硅碳远期成本有望降至20万元/吨以内、性价比提升。当前硅碳负极售价40万元/吨+，主要系多孔碳占成本比例较高，且生产设备仍为20公斤级，远期看，随着100kg设备大规模应用，且多孔碳实现原材料降本，硅碳负极售价有望降至20万元/吨以内，按10%添加比例计算，对应单吨负极成本提升不足2万，电池成本提升0.015元/wh以内，整体成本可控，性价比进一步提升。 硅碳负极放量、多孔碳、单壁碳管及PAA等原材料受益。硅碳负极核心原材料为多孔碳，多孔碳的造孔技术及产品设计直接决定硅碳负极性能，行业壁垒较高，此外单壁碳管及PAA需要配硅碳负极使用，贡献需求增量。预计2030年硅碳负极需求达8万吨，对应市场空间130亿元，多孔碳对应4万吨需求，对应50亿元市场空间。单壁碳管粉体添加比例预计达0.2%左右，2030年对应1300吨+需求，对应33万吨浆料。