【铠侠公布第十代BiCSFLASH闪存技术】近日，铠侠和闪迪在最近的ISSCC

【铠侠公布第十代BiCS FLASH闪存技术】近日，铠侠和闪迪在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。 据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。 速度的提升还有部分原因在于NAND闪存层数的增加，从第八代BiCS FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%。优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度。 此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。