三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品
据韩媒报道,三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利,从其V10(第10代)NAND 开始。报道称,三星计划于2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND,该产品预计将具有约420至430 层。V10 NAND将采用多项新技术,其中最重要的是W2W混合键合技术。
三星将采用长江存储专利技术用于下一代V10 NAND产品
据韩媒报道,三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利,从其V10(第10代)NAND 开始。报道称,三星计划于2025年下半年开始大规模生产其V10 NAND,该产品预计将具有约420至430 层。V10 NAND将采用多项新技术,其中最重要的是W2W混合键合技术。
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