#传三星和长江存储合作# 据韩媒的报道，在三星接下来推出的存储产品（NAND 闪存芯片）中，很可能就会用上来自长江存储的专利。目前它俩还没有通过官方渠道表态，不过这事儿可能是真的，而且是三星被自己家技术卡脖子了。。。
而作为存储界的扛把子，三星早在 2013 年，就正式宣布推出已经量产的 24 层堆栈 TLC V-NAND 闪存。这技术说起来也不难理解，就好比原先是一座平房，房间数撑死也就这些，能容纳的人数也就是数据有限，但现在往上不断盖楼，盖的楼越多，容量照样能上来。
在过去十年，三星更是把闪存芯片叠成了“赛博高楼”，直接一路从 32 层盖到了 280 层。而它计划于今年下半年开始大规模生产的第十代 V-NAND，层数据说会到 420-430 层。
就要挑战 430 层的时候，三星发现自家祖传的 CoP 技术遇到了瓶颈 —— 那就是底层控制电路快被存储单元“压塌”了。底层控制电路承受的压力越来越大，信号延迟、发热问题会严重影响闪存的性能和可靠性。
而长江存储的 “Xtacking” 混合键合专利技术，可以把存储单元和控制电路分开制造，然后再拼接到一起。借助这项技术，制造存储单元和控制电路的工艺可以实现各自优化。所以三星和 SK 海力士想继续搞 400 多层的闪存芯片，都想和长江存储买专利授权。
该说不说科技圈没有绝对的对手，只有永恒的利益。合作达成了，固态硬盘得降价了吧。
